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聚焦！SGT工藝N60V MOSFET新品，點(diǎn)亮清潔能源新效能
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 新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹 揚(yáng)杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品，產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù)，具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗，同時(shí)提升了MOSFET抗沖擊電流能力。
產(chǎn)品特點(diǎn) 1.產(chǎn)品采用優(yōu)化的SGT工藝, 產(chǎn)品內(nèi)阻低，開(kāi)關(guān)特性優(yōu)；
2.產(chǎn)品采用TOLL、TO-263、TO-220等封裝，適用于BMS等大功率應(yīng)用；
3.針對(duì)工控應(yīng)用的各種工作狀態(tài), 優(yōu)化MOS產(chǎn)品EAS能力，提高產(chǎn)品的可靠性。
規(guī)格書(shū)

YJB2D3G06H YJT2D0G06H

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